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一种薄膜晶体管阵列基板及其驱动方法与液晶显示器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210236108.1
  • IPC分类号:G02F1/1362;G02F1/1368
  • 申请日期:
    2012-07-06
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
著录项信息
专利名称一种薄膜晶体管阵列基板及其驱动方法与液晶显示器
申请号CN201210236108.1申请日期2012-07-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-11-14公开/公告号CN102778796A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/1362IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司
发明人张斌;张亮;胡巍浩
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司代理人黄志华
摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其驱动方法与液晶显示器,所述薄膜晶体管阵列基板的各子像素包括栅极与栅极线连接且漏极与数据线连接的第一晶体管、一端与第一晶体管的源极相连且另一端与参考电压输出端相连的第一存储电容,同时,所述子像素还包括第二存储电容和第二晶体管,所述第二存储电容的一端与第一晶体管的源极相连、另一端与第二晶体管的漏极相连,所述第二晶体管的源极与参考电压输出端相连、栅极与使能信号输出端相连。由于在本发明所述薄膜晶体管阵列基板中,各子像素均增加了第二存储电容,因而增大了静态显示时的存储电容的电容量,降低了静态显示时的电压转换频率,达到了降低了系统功耗的效果。

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