一种超声传感器结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010112451.X
IPC分类号：B81B3/00;B81C1/00;B81C3/00;G01D5/48
申请日期：
2020-02-24
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	一种超声传感器结构及其制造方法
申请号	CN202010112451.X	申请日期	2020-02-24
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-08-28	公开/公告号	CN111591951A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B3/00 由柔性或可变形的元件组成的装置，例如由弹性舌或膜片组成（B81B 5/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;B;3;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;C;3;/;0;0;;;G;0;1;D;5;/;4;8查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	康晓旭
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种超声传感器结构，设于上下键合在一起的第一衬底和第二衬底上，第一衬底正面上依次设有介质层、金属层和上电极，金属层与上电极之间通过第一空腔相隔离，金属层和介质层的叠层形成振动膜；第一衬底背面上设有底部连接介质层的第二空腔；第二衬底正面上设有下电极，下电极位于第二空腔中，并通过分设于第二衬底和第一衬底中的通孔连接上电极。本发明能够显著增大振动膜的振动幅度，进一步增强超声传感器的性能。本发明还公开了一种超声传感器结构制造方法。

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