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瞬态电压抑制器件及制造工艺方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210085982.X
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/417;H01L29/861;H01L21/28;H01L21/329
  • 申请日期:
    2012-03-28
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称瞬态电压抑制器件及制造工艺方法
申请号CN201210085982.X申请日期2012-03-28
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2013-10-23公开/公告号CN103367393A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人石晶;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种瞬态电压抑制器件,该器件是在高掺杂浓度的P型低阻衬底上分别制作重掺杂的P型埋层和N型埋层,N型埋层上方为N型外延,外延层上注入形成重掺杂的P型区,通过接触孔工艺引出形成二极管的阳极;在P型区两侧埋层上方制作隔离结构,并在隔离结构中通过深孔接触引出二极管阴极。本发明还公开了所述瞬态电压抑制器件的制造工艺方法。本发明所述的瞬态电压抑制器件通过深孔接触直接引出背面电极,缩小了器件面积,同时减小了扩散隔离所带来的寄生电容等各种寄生效应。

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