扇出型封装结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710598696.6
IPC分类号：H01L23/13;H01L23/14;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56
申请日期：
2017-07-21
申请人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	扇出型封装结构及其制造方法
申请号	CN201710598696.6	申请日期	2017-07-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-10	公开/公告号	CN107342264A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/13 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/13 按形状特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;3;;;H;0;1;L;2;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	当前权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人	林挺宇;陈峰
代理机构	上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张东梅

摘要

本发明公开了一种扇出型封装结构，包括：衬底，所述衬底包括凹槽；嵌入在所述衬底的凹槽中的第一芯片，所述第一芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，其中所述衬底的材料在外界热处理条件下能够流动从而将所述第一芯片的第二表面和侧面包裹，所述第一芯片的第一表面与衬底的顶面齐平；通过引线键合贴装在所述第一芯片的第一表面上的第二芯片，所述第二芯片具有第一面、以及与第一面相对的第二面，所述第二芯片的第一面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，所述第二芯片的第二面固定在所述第一芯片的第一表面上，所述第二芯片的第一面上的导电焊盘通过引线电连接到所述第一芯片上的导电焊盘。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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