荷电衬度成像的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610088992.3
IPC分类号：--
申请日期：
2006-07-28
申请人：
北京工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	荷电衬度成像的方法
申请号	CN200610088992.3	申请日期	2006-07-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-03	公开/公告号	CN1888881
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	吉元;张隐奇;权雪玲;徐学东;傅景永;王丽;刘翠秀
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	张慧

摘要

本发明涉及在扫描电子显微镜中荷电衬度成像的方法，应用于电子显微分析技术中。采用高真空扫描电镜时，绝缘样品采用加速电压10～30kV，导体和非导体材料合成的复合颗粒和多层膜采用加速电压25～30kV，入射电流选10－10～10－11A，扫描速率选6～80s/帧；当样品室真空度达到1×10－4Pa或其以上时，使入射电子在样品表面扫描，并保存二次电子像；采用环境扫描电镜时，成像操作条件同高真空扫描电镜，样品室的压力要低于通常荷电补偿用的压力，绝缘材料为13～90Pa，含水及生物材料为400～500Pa。利用本发明，可以观察到样品局域在导电、介电、应力等性能方面存在的差异，及微观结构和成分分布的特征。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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