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MOS器件中导通栅极触点

发明专利无效专利

申请号：
CN201080056776.5
IPC分类号：H01L23/482
申请日期：
2010-12-02
申请人：
剑桥硅无线电通信有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	MOS器件中导通栅极触点
申请号	CN201080056776.5	申请日期	2010-12-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-12	公开/公告号	CN102822964A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/482 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/482 由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;2查看分类表>
申请人	剑桥硅无线电通信有限公司	申请人地址	英国剑桥郡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	剑桥硅无线电通信有限公司	当前权利人	剑桥硅无线电通信有限公司
发明人	R·赫贝霍尔茨;D·维加
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	王永建

摘要

一种MOS器件（400），包括：半导体基底，包括沟道；电极（402），与沟道绝缘并且至少部分设置在沟道之上；和至少一个通到电极的触点（403），所述至少一个触点至少部分设置在所述沟道之上。

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