跨导器与混频电路

发明专利无效专利

申请号：
CN200810082819.1
IPC分类号：H03H11/02;H03D7/14;H03F1/32
申请日期：
2008-02-28
申请人：
联发科技（新加坡）私人有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	跨导器与混频电路
申请号	CN200810082819.1	申请日期	2008-02-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-19	公开/公告号	CN101309075
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H11/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H11/00 使用有源元件的网络 H03H11/02 多端对网络〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;1;1;/;0;2;;;H;0;3;D;7;/;1;4;;;H;0;3;F;1;/;3;2查看分类表>
申请人	联发科技（新加坡）私人有限公司	申请人地址	新加坡亚逸拉惹弯变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联发科技(新加坡)私人有限公司	当前权利人	联发科技(新加坡)私人有限公司
发明人	刘荣全
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	任默闻

摘要

本发明提供一种跨导器与混频电路。所述跨导器包括第一有源器件网络与第二有源器件网络，所述第一有源器件网络有第一节点与第二节点，且包括第一金属氧化物半导体晶体管，所述第一金属氧化物半导体晶体管具有栅极、耦接至第一节点的源极以及耦接至第二节点的漏极；第二有源器件网络具有分别耦接至第一有源器件网络的第一节点与第二节点的第一节点与第二节点，且包括第二金属氧化物半导体晶体管，第二金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极分别耦接至第一金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极，其中，第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管分别操作于饱和区与三极管区，使得金属氧化物半导体晶体管所产生的非线性度被抵消。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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