磁弹性非晶丝材料及其磁弹性位移传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN200610167402.6
IPC分类号：--
申请日期：
2006-12-15
申请人：
北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所

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专利名称	磁弹性非晶丝材料及其磁弹性位移传感器
申请号	CN200610167402.6	申请日期	2006-12-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-06-18	公开/公告号	CN101200792
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所	申请人地址	北京市西城区三里河54号科学技术部办公楼578室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所	当前权利人	北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所
发明人	梁乃茹;吴渊;杨昊;教晓冬;闫惠波;雷卫武;余勇;韩跃;崔计苓;胡满珠
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种磁弹性非晶合金材料及其制备方法，它由FexReyBz组成，其中Re是La、Sm、Tb、Dy、Y的一种或两种以上。制备方法是将FexReyBz按原子百分比混合熔炼成母合金，在自研喷丝设备上制作非晶丝，通过拉拔使丝增加内应力，提高丝的磁弹性能。具备10－3纵向大磁致伸缩系数，并且，由于急冷速凝的制备方法，造成丝表面到丝芯部异常大的内应力梯度，具备大的内应力各向异性能，产生部分磁弹性能；丝的几十nm～几百nm厚的表面结晶层与非晶基体产生磁晶各向异性能，增强了丝的磁弹性能。这种材料具有纵向大磁致伸缩系数，利用其研制的位移传感器及测量仪器，与现有的进口超磁致伸缩位移传感器相比，具有探测深度大、精度高、抗振动能力强的优点。

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