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一种单电极触摸传感器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310349759.6
  • IPC分类号:G06F3/041;G06F3/045;H02N1/04
  • 申请日期:
    2013-08-12
  • 申请人:
    国家纳米科学中心
著录项信息
专利名称一种单电极触摸传感器及其制备方法
申请号CN201310349759.6申请日期2013-08-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-05-07公开/公告号CN103777803A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F3/041IPC分类号G;0;6;F;3;/;0;4;1;;;G;0;6;F;3;/;0;4;5;;;H;0;2;N;1;/;0;4查看分类表>
申请人国家纳米科学中心申请人地址
北京市海淀区学院路30号天工大厦C座 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京纳米能源与系统研究所当前权利人北京纳米能源与系统研究所
发明人王中林;杨亚;张虎林
代理机构北京润平知识产权代理有限公司代理人陈潇潇;肖冰滨
摘要
一种单电极触摸传感器及其制备方法。本发明利用触摸动作施加者和触摸层材料具有不同的摩擦电性质而构建出单电极、自驱动型触摸传感器。当触摸动作施加者在触摸层上进行接触‑分离或滑动等动作时,会触发触摸传感器的电信号产生机制,并自动对外输出电信号,从而使触摸动作被记录并被反馈,实现传感器的功能。本发明的单电极触摸传感器可以对触摸动作进行实时记录,具有成本低、自驱动和结构简单等特点,在智能电子设备和人机互动界面中有非常广泛的应用前景。

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