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一种表面掺杂修饰MoS<sub>2</sub>的CoS纳米线催化剂的制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010990978.2
  • IPC分类号:B01J27/051;B01J35/10;C25B1/04;C25B11/091;C25B11/065
  • 申请日期:
    2020-09-19
  • 申请人:
    曲阜师范大学
著录项信息
专利名称一种表面掺杂修饰MoS<sub>2</sub>的CoS纳米线催化剂的制备方法和应用
申请号CN202010990978.2申请日期2020-09-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-03-05公开/公告号CN112439430A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J27/051IPC分类号B;0;1;J;2;7;/;0;5;1;;;B;0;1;J;3;5;/;1;0;;;C;2;5;B;1;/;0;4;;;C;2;5;B;1;1;/;0;9;1;;;C;2;5;B;1;1;/;0;6;5查看分类表>
申请人曲阜师范大学申请人地址
山东省济宁市曲阜市静轩西路57号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人曲阜师范大学当前权利人曲阜师范大学
发明人何元纯;王妍
代理机构北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明涉及纳米结构析氢反应催化剂技术领域,特别涉及一种表面掺杂修饰MoS2的CoS纳米线催化剂的制备方法和应用。以碳布为衬底,利用水热或溶剂热的合成方法,将CoS纳米线负载于碳布上,然后将MoS2纳米片负载于CoS纳米线上,得到纳米线加纳米片的复合纳米阵列结构,CoS@CC+MoS2。本发明选择在碳布表面上生长CoS纳米线,碳布经过亲水处理后拥有良好的导电性以及多种优良的电化学性能。通过负载纳米片结构的MoS2进行结构的改良,从而对催化剂材料的表面进行改性,提高反应活性并实现高效电解水析氢。

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