形成半导体器件金属引线的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN96112074.6
IPC分类号：--
申请日期：
1996-11-04
申请人：
现代电子产业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成半导体器件金属引线的方法
申请号	CN96112074.6	申请日期	1996-11-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1997-07-30	公开/公告号	CN1155758
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	现代电子产业株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	现代电子产业株式会社	当前权利人	现代电子产业株式会社
发明人	林载圻;金铉修;李锡奎
代理机构	上海专利商标事务所	代理人	张政权

摘要

本发明提供一种形成半导体金属引线的方法，它包含以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成由多晶硅层和金属硅化物层构成的下部引线；在下部引线上形成具有接触孔的层间绝缘膜，通过接触孔部分暴露金属硅化物层；在金属硅化物层的暴露部分注入杂质离子以在金属硅化物层中形成非晶部分；热处理金属硅化物层的非晶部分，从而使金属硅化物层非晶部分晶化；以及在金属硅化物层结晶部分形成上部引线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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