一种SiBCN陶瓷先驱体及其合成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110242944.X
IPC分类号：C08G77/56;C08G77/62;C08G79/08;C04B35/583;C04B35/589
申请日期：
2021-03-05
申请人：
中国人民解放军国防科技大学

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著录项信息

专利名称	一种SiBCN陶瓷先驱体及其合成方法
申请号	CN202110242944.X	申请日期	2021-03-05
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-06-25	公开/公告号	CN113024819A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08G77/56 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物（发酵或使用酶的方法合成目标化合物或组合物或从外消旋混合物中分离旋光异构体入C12P）〔2〕 C08G77/00 在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物〔2〕 C08G77/48 其中至少有两个，但不是所有的硅原子是与氧以外的原子键合（C08G 77/42优先）〔2〕 C08G77/56 含硼键合〔2〕	IPC分类号	C;0;8;G;7;7;/;5;6;;;C;0;8;G;7;7;/;6;2;;;C;0;8;G;7;9;/;0;8;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8;3;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8;9查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科技大学	申请人地址	湖南省长沙市开福区德雅路109号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科技大学	当前权利人	中国人民解放军国防科技大学
发明人	邵长伟;龙鑫;王兵;王应德;王小宙;苟燕子;韩成
代理机构	长沙国科天河知识产权代理有限公司	代理人	陈俊好

摘要

本发明公开一种SiBCN陶瓷先驱体及其合成方法，该SiBCN陶瓷先驱体的合成方法以癸硼烷和有机硅化合物为原料，利用癸硼烷和有机硅化合物的脱氢缩合反应，简单高效的合成了新的SiBCN陶瓷先驱体，反应在室温条件下即可进行，合成产率达到82wt％以上，除氢气外无其他副产物，原子利用率高，便于规模化生产，而且合成的Si‑C‑N‑B多元陶瓷先驱体的溶解性好、陶瓷产率高，适应于多种溶液加工工艺以制备复杂形状的陶瓷材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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