半导体装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820270365.X
IPC分类号：H01L23/485;H01L23/488
申请日期：
2018-02-26
申请人：
瑞萨电子株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置
申请号	CN201820270365.X	申请日期	2018-02-26
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/485 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/482 由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的〔5〕 H01L23/485 包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	瑞萨电子株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	萱岛祐治;关口智久
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	金春实

摘要

本公开涉及半导体装置，具有：半导体基板；第一布线；第二层间绝缘膜；第一焊盘；第一绝缘膜，具有第一开口部；第二布线；以及第二焊盘，其中，在俯视观察时，所述第一布线的至少一部分与所述第一焊盘重叠，所述第一布线的端部位于所述第一焊盘与所述第二布线的连接区域的下方，在所述第一布线中的第一区域形成有多个第二开口部，在俯视观察时，所述第一区域的至少一部分与所述连接区域重叠。本公开的一个实施例解决的一个问题是在形成焊盘后形成有再布线的半导体装置中提高可靠性。根据本公开的一个实施例的一个用途是能够提高半导体装置的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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