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硅通孔背面露头的方法和装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380075888.9
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/52
  • 申请日期:
    2013-04-22
  • 申请人:
    盛美半导体设备(上海)有限公司
著录项信息
专利名称硅通孔背面露头的方法和装置
申请号CN201380075888.9申请日期2013-04-22
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-12-02公开/公告号CN105122440A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2查看分类表>
申请人盛美半导体设备(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人盛美半导体设备(上海)股份有限公司当前权利人盛美半导体设备(上海)股份有限公司
发明人王晖;陈福平;张晓燕
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人陆勍
摘要
提供一种硅通孔背面露头的方法和装置。该方法包括如下步骤:提供硅衬底(101),硅衬底(101)内形成有若干硅通孔(102);旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第一刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面,在硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出之前停止刻蚀;旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面直到硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出,其中在向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂期间,在设定的时间间隔内,使硅衬底(101)的旋转方向反向。

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