加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

互连结构的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410301170.3
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2014-06-27
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称互连结构的形成方法
申请号CN201410301170.3申请日期2014-06-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-01-06公开/公告号CN105226008A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人周鸣
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人高静;骆苏华
摘要
本发明提供了一种互连结构的形成方法。包括:在形成介质层后,在介质层上形成碳氧化硅(SiOC)层,在碳氧化硅层上形成金属掩模材料层;之后再刻蚀金属掩模材料层和碳氧化硅层形成硬掩模,并以硬掩模为掩模刻蚀介质层,在介质层形成通孔;向通孔内填充导电材料后,形成导电插塞。以碳氧化硅层和金属掩模材料层双层结构取代现有的含有金属层、TEOS层和采用低K材料制成的结合层的结构。后续在介质层内形成通孔后,清洗通孔以去除刻蚀介质层时所形成的刻蚀副产物时,碳氧化硅层、金属掩模材料层和介质层消耗速率相似,有效改善形成于硬掩模以及介质层内的通孔侧壁平整度,进而提高后续向通孔内填充的导电材料的填充性能,以提高形成的导电插塞的性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供