高密度存储器单元结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201610382101.9
IPC分类号：H01L27/12;H01L29/775
申请日期：
2016-06-01
申请人：
格罗方德半导体公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高密度存储器单元结构
申请号	CN201610382101.9	申请日期	2016-06-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-03	公开/公告号	CN107230679A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;5查看分类表>
申请人	格罗方德半导体公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯（美国）集成电路科技有限公司,格芯(美国)集成电路科技有限公司	当前权利人	格芯（美国）集成电路科技有限公司,格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人	李伟建;裴成文;王平川
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本披露关于高密度存储器单元结构，其涉及半导体结构，更具体地，涉及垂直存储器单元结构及其制造方法。该垂直存储器单元包括垂直纳米线电容器与垂直通道闸极晶体管。该垂直纳米线电容器包括：延伸自绝缘层的多个垂直纳米线；位在该多个垂直纳米线的垂直侧壁上的介电材料；提供在该多个垂直纳米线之间的掺杂材料。该通道闸极晶体管包括：在该纳米线的顶部的高‑k介电材料，环绕该高‑k介电材料以作为围绕闸极的金属层。并且以在该垂直纳米线电容器与该垂直纳米线晶体管之间的介电层作为绝缘体。至少一个位线延伸于该多个垂直纳米线的顶部上并与其电性接触；以及至少一个字线形成在该多个垂直纳米线的垂直侧壁上并藉由介电材料从中隔离。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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