薄膜传感器阵列及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410387173.3
IPC分类号：G01N27/60
申请日期：
2014-08-07
申请人：
中国人民解放军空军工程大学

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著录项信息

专利名称	薄膜传感器阵列及其制备方法
申请号	CN201410387173.3	申请日期	2014-08-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-11-26	公开/公告号	CN104165920A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/60 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/60 通过测试静电变量	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;6;0查看分类表>
申请人	中国人民解放军空军工程大学	申请人地址	陕西省西安市灞桥区霸陵路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军空军工程大学	当前权利人	中国人民解放军空军工程大学
发明人	何宇廷;侯波;崔荣洪;安涛;伍黎明;杜金强
代理机构	北京世誉鑫诚专利代理事务所（普通合伙）	代理人	郭官厚

摘要

本发明公开了一种薄膜传感器阵列，其特征在于，由若干同心的环状薄膜传感器组成，组成的薄膜传感器阵列覆盖整个监测区域，所述环状薄膜传感器主要包括三层厚度均在微米量级的结构，从下至上依次为：绝缘支撑层、导电传感层和封装保护层，其中，所述绝缘支撑层形成于基体表面并与基体呈一体化结构，所述导电传感层呈环形。本发明的有益之处在于：在裂纹萌生、扩展阶段能够较为精确的对与金属结构一体化的薄膜传感器阵列进行电位监测，实现了对结构疲劳裂纹扩展的全过程进行定量和实时监测；易于与金属结构实现一体化设计与集成，可广泛应用于典型金属结构的实时监测中；敏感度高，监测精度可调，监测范围广，功耗低，无需信号转换，综合效费比高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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