用于半导体制造和封装的方法以及在所述方法中使用的装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201910955455.1
IPC分类号：H01L21/56;H01L23/24;H01L21/78
申请日期：
2019-10-09
申请人：
美光科技公司

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著录项信息

专利名称	用于半导体制造和封装的方法以及在所述方法中使用的装置
申请号	CN201910955455.1	申请日期	2019-10-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-17	公开/公告号	CN111029264A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/56 封装，例如密封层、涂层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	J·F·克丁
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王龙

摘要

本申请涉及用于半导体制造和封装的方法以及在所述方法中使用的装置。所述方法可以包含在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置。所述方法可以进一步包含将模塑料沉积到所述衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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