用于可重构多层全息天线的Ge基等离子pin二极管制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611184750.4
IPC分类号：H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868
申请日期：
2016-12-20
申请人：
西安科锐盛创新科技有限公司

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著录项信息

专利名称	用于可重构多层全息天线的Ge基等离子pin二极管制备方法
申请号	CN201611184750.4	申请日期	2016-12-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-09	公开/公告号	CN106816684A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/12 支持物；安装装置 H01Q1/22 结构上与其他设备或物体相结合的	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;2;2;;;H;0;1;Q;1;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;8查看分类表>
申请人	西安科锐盛创新科技有限公司	申请人地址	陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安科锐盛创新科技有限公司	当前权利人	西安科锐盛创新科技有限公司
发明人	尹晓雪;张亮
代理机构	西安智萃知识产权代理有限公司	代理人	刘长春

摘要

本发明公开一种用于可重构多层全息天线的Ge基等离子pin二极管制备方法，Ge基等离子pin二极管用于制作可重构多层全息天线，Ge基等离子pin二极管制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成Ge基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备适用于形成可重构多层全息天线的高性能Ge基等离子pin二极管。

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