一种新型高效高压LED芯片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201620783145.8
IPC分类号：H01L33/58;H01L33/62
申请日期：
2016-07-22
申请人：
肇庆市欧迪明科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种新型高效高压LED芯片
申请号	CN201620783145.8	申请日期	2016-07-22
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/58 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/58 光场整形元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人	肇庆市欧迪明科技有限公司	申请人地址	广东省肇庆市高新区沙沥工业园肇庆健康家人实业有限公司车间1南面变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东欧迪明光电科技股份有限公司	当前权利人	广东欧迪明光电科技股份有限公司
发明人	陈锦全
代理机构	广州市南锋专利事务所有限公司	代理人	杨英华

摘要

本实用新型提供了一种新型高效高压LED芯片，属于一种光电子发光器件技术领域，包括蓝宝石层、芯片单元、隔离槽、连接线、GaN缓冲层、N型GaN、量子阱发光层和P型GaN，其特征在于，还包括导光柱，所述的蓝宝石层上依次设有GaN缓冲层、N型GaN、量子阱发光层和P型GaN，上述限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的芯片单元，各个芯片单元之间设有隔离槽，彼此之间由连接线进行串联，每个芯片单元的边缘刻有导光柱。本实用新型提供了一种新型高效高压LED芯片，提升了LED整体的出光效率，同时增大了LED芯片的电压，对提高芯片的亮度和功率卓有成效。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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