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具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610171869.8
  • IPC分类号:H01L27/12;H01L23/522
  • 申请日期:
    2006-10-20
  • 申请人:
    卡西欧计算机株式会社
著录项信息
专利名称具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法
申请号CN200610171869.8申请日期2006-10-20
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2007-05-30公开/公告号CN1971919
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/12IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人卡西欧计算机株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人奥特司科技株式会社当前权利人奥特司科技株式会社
发明人石井裕满
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人陈英俊
摘要
一种薄膜晶体管面板包括:基板(1);薄膜晶体管(3),形成在基板(1)上,具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13),半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域;像素电极(2),与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接;以及第一和第二导电性被覆膜(14、15),设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部,由与像素电极(2)相同的材料形成;第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽,第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽。

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