一种局域电场增强磁光效应的衬底

发明专利无效专利

申请号：
CN202010777516.2
IPC分类号：G02F1/09;G02B5/00
申请日期：
2020-08-05
申请人：
中山科立特光电科技有限公司

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专利名称	一种局域电场增强磁光效应的衬底
申请号	CN202010777516.2	申请日期	2020-08-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-30	公开/公告号	CN111856790A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/09 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/09 基于磁—光元件的，例如，呈现法拉第效应的〔2〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;9;;;G;0;2;B;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中山科立特光电科技有限公司	申请人地址	广东省中山市中山火炬开发区中心城区港义路创意产业园区3号商务楼附楼2501卡（集群登记、住所申报）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山科立特光电科技有限公司	当前权利人	中山科立特光电科技有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种局域电场增强磁光效应的衬底，包括基底和周期排列的微结构单元，微结构单元为一维线栅形，微结构单元周期性地置于基底上，微结构单元包括第一微纳结构部、第二微纳结构部和磁性材料部，第一微纳结构部、第二微纳结构部、磁性材料部均置于基底上，磁性材料部置于第一微纳结构部和第二微纳结构部之间，第一微纳结构部和第二微纳结构部的材料为贵金属。应用时，在倾斜的入射光激发下，在第一微纳结构部和第二微纳结构部之间形成同方向的强局域电场，这些同方向的强局域电场一致地增强了磁性材料部与入射光的相互作用，增强了磁光效应。

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