半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610805514.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L23/13
申请日期：
2016-09-06
申请人：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN201610805514.3	申请日期	2016-09-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-13	公开/公告号	CN107799388A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;1;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	王贤超
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	曲瑞

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底以及位于该衬底上的多层膜，其中所述多层膜形成台阶；形成覆盖在台阶上的保护层；在保护层上形成覆盖所述半导体结构的覆盖层；以及去除所述多层膜中的至少一层膜以形成由覆盖层与所述多层膜中剩余的至少一层膜构成的空腔。本发明可以解决现有技术中形成空腔时所使用的刻蚀工艺对覆盖层的台阶造成损害而产生裂缝的问题，从而可以提高器件的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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