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一种石墨舟的移载机构及半导体加工设备

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020688621.4
IPC分类号：C23C16/458;C23C16/46;C23C16/50;H01L31/18
申请日期：
2020-04-29
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种石墨舟的移载机构及半导体加工设备
申请号	CN202020688621.4	申请日期	2020-04-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/458 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/458 在反应室中支承基体的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;6;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	郝晓明;闫志顺;盛强;赵福平
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	施敬勃

摘要

本实用新型公开一种石墨舟的移载机构及半导体加工设备，所公开的移载机构包括移载本体(100)、加热器(200)和安装件(300)；其中：所述加热器(200)通过所述安装件(300)设置于所述移载本体(100)，所述加热器用于在所述石墨舟(400)设置于所述移载本体(100)时，对所述石墨舟(400)进行加热。上述方案能够解决半导体加工设备产能较低的问题。

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