一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710457827.9
IPC分类号：C01B32/198
申请日期：
2017-06-16
申请人：
北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司

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专利名称	一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法
申请号	CN201710457827.9	申请日期	2017-06-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-24	公开/公告号	CN107285304A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/198 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/182 石墨烯〔2017.01〕 C01B32/198 氧化石墨烯〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;9;8查看分类表>
申请人	北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司	申请人地址	北京市海淀区新街口外大街19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京师范大学,北京师大科技园科技发展有限责任公司	当前权利人	北京师范大学,北京师大科技园科技发展有限责任公司
发明人	杨晓晶;邵百一;刘盛堂
代理机构	北京柏杉松知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张函;王春伟

摘要

本发明实施例提供了一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，包括以下步骤(1)采用Hummers法或改进的Hummers法合成氧化石墨烯，合成结束后，得到氧化石墨烯合成体系；(2)将氧化石墨烯合成体系与含有金属阳离子的水溶液混合，加入密度大于水，且不与水混溶的有机溶剂，搅拌，得到混合体系，静置分层；其中所述金属阳离子能够与硫酸根形成沉淀。本发明的方法在去除硫酸根的同时，还可以去除氧化石墨烯合成体系中的锰离子。而且，与离心洗涤的方式相比，本发明提供的除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，更简洁，更适于工业生产。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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