一种高精度反射式DOE衍射器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910225327.1
IPC分类号：G02B5/18
申请日期：
2019-03-22
申请人：
无锡中微掩模电子有限公司

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专利名称	一种高精度反射式DOE衍射器件及其制备方法
申请号	CN201910225327.1	申请日期	2019-03-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-05	公开/公告号	CN109975904A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B5/18 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B5/00 除透镜外的光学元件（光波导入G02B 6/00；光学逻辑元件入G02F 3/00）〔4〕 G02B5/18 衍射光栅	IPC分类号	G;0;2;B;5;/;1;8查看分类表>
申请人	无锡中微掩模电子有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区菱湖大道202号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡中微掩模电子有限公司	当前权利人	无锡中微掩模电子有限公司
发明人	张鹏;孙锋;华卫群;丁鼎
代理机构	连云港联创专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	刘刚

摘要

本发明涉及微电子工艺的衍射微光学器件的加工方法，具体为一种高精度反射式DOE衍射器件，包括单晶硅基板(1)、多晶硅层(2)和光刻掩模版(3)，图案化所述多晶硅层以形成沟道区域，所述沟道区域的两侧包括对称设置的两个低掺杂区域，所述低掺杂区域的外侧包括对称设置的两个高掺杂区域；在所述多晶硅层的所述沟道区域、所述低掺杂区域及所述高掺杂区域上沉积岛状光阻层；所述岛状光阻层具有第一厚度及第二厚度。本发明的高精度反射式DOE衍射器件的制备方法用微电子加工工艺制备反射式DOE器件能有效控制图形精度和减少成本；通过对多晶硅层及光刻掩模版进行优化，确保图形的精度，并对其制备方法进行优化，延长了其使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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