具有双极横向功率晶体管的半导体部件

发明专利无效专利

申请号：
CN200380105577.9
IPC分类号：H01L27/02;H01L29/70;H01L29/73
申请日期：
2003-12-08
申请人：
皇家飞利浦电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有双极横向功率晶体管的半导体部件
申请号	CN200380105577.9	申请日期	2003-12-08
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-01-18	公开/公告号	CN1723560
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3查看分类表>
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司	当前权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人	A·奈特;J·科尔德茨;R·贝尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;梁永

摘要

一种半导体部件，包括至少一个横向双极功率晶体管，其由具有共集电极区、基区和发射极区的至少一组单晶体管组成，其通过三个导体轨迹系统并联，该导体轨迹系统使每个单晶体管的发射极电流、基极电流和集电极电流集中在一起；且每个单晶体管都包括具有发射极接触的发射极－接触区、至少一个有源发射极区以及接触区与有源区之间的连接区的发射极区，具有基极接触的基极－接触区以及内部基极串联电阻的基区，以及集电极区，所述的内部基极串联电阻是包括至少两个环形段的结构化半导体区，其连接到基极－接触区和基极接触。

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