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ARM平台下基于NEON指令加速的纠删编解码方法及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110161151.5
  • IPC分类号:G06F9/30;G06F9/38
  • 申请日期:
    2021-02-05
  • 申请人:
    湖南国科亿存信息科技有限公司
著录项信息
专利名称ARM平台下基于NEON指令加速的纠删编解码方法及装置
申请号CN202110161151.5申请日期2021-02-05
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-23公开/公告号CN113157321A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F9/30IPC分类号G;0;6;F;9;/;3;0;;;G;0;6;F;9;/;3;8查看分类表>
申请人湖南国科亿存信息科技有限公司申请人地址
湖南省长沙市开福区伍家岭街道栖凤路486号凯乐微谷商务中心1栋7层708号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南国科亿存信息科技有限公司当前权利人湖南国科亿存信息科技有限公司
发明人龚亚信;彭琰;李庆节;张恽
代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)代理人谭武艺
摘要
本发明公开了一种ARM平台下基于NEON指令加速的纠删编解码方法及装置,在ARM平台下现有的纠删编解码算法只能利用CPU通用寄存器串行计算,本发明ARM平台下基于NEON指令加速的纠删编解码方法利用ARM提供的16个128位NEON寄存器实现对数据的并行处理,一是在ARM平台通过对NEON指令的运用,实现多个数据分片同时与多个编码阵元进行运算;二是在求解编码矩阵的逆矩阵时,通过NEON指令加速对编码矩阵与单位阵同步进行的基本变换,能够大幅提高纠删编解码的效率,提升存储系统的性能。

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