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利用对称中心缺陷的红外与激光兼容伪装膜系结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010488270.7
  • IPC分类号:G02B5/20;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B7/023;B32B33/00
  • 申请日期:
    2020-06-02
  • 申请人:
    中国人民解放军火箭军工程大学
著录项信息
专利名称利用对称中心缺陷的红外与激光兼容伪装膜系结构
申请号CN202010488270.7申请日期2020-06-02
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-08-07公开/公告号CN111505757A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/20IPC分类号G;0;2;B;5;/;2;0;;;B;3;2;B;9;/;0;0;;;B;3;2;B;9;/;0;4;;;B;3;2;B;1;5;/;0;4;;;B;3;2;B;7;/;0;2;3;;;B;3;2;B;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人中国人民解放军火箭军工程大学申请人地址
陕西省西安市灞桥区同心路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军火箭军工程大学当前权利人中国人民解放军火箭军工程大学
发明人王龙;汪刘应;唐修检;刘顾;阳能军;田欣利;赵文博
代理机构济南光启专利代理事务所(普通合伙)代理人赵文成
摘要
本发明公开了一种利用对称中心缺陷含二维半导体材料的红外与激光兼容伪装膜系结构:B[AB]nT[BA]nB,A、B膜层为固态材料层,固态材料选自ZnS、ZnSe、PbTe、Al2O3、Te、Ge、Si、SiO2、TiO2、Si3N4、MgF2、PbF2中的任意一种或两种以上;若A、B两膜层介质的折射率分别为nA、nB,单膜层厚度分别为dA、dB,则存在关系:nAdA≈nBdB≈2650nm,且nAdA+nBdB=5300nm;所述T为中心缺陷膜层,T膜层厚度dT≤10nm。本发明具备3~5μm与8~14μm双红外波段高反射,并在10.6μm激光附近频域形成“挖孔”现象,急剧减小呈现低反射率的光子局域特性,从而具备红外与激光兼容伪装功能,性能优异,膜系结构简单,为规避红外与激光复合模式的联合探测的光学综合伪装防护需求提供了解决方案。

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