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光刻机曝光参数的获取方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410103636.9
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2014-03-19
  • 申请人:
    北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
著录项信息
专利名称光刻机曝光参数的获取方法
申请号CN201410103636.9申请日期2014-03-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-09-23公开/公告号CN104932204A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司申请人地址
北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司当前权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人曲东升;张彦平
代理机构北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)代理人尚志峰;汪海屏
摘要
本发明提供了一种光刻机曝光参数的获取方法,包括:解析接收到的参数输入指令,以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度;根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度,计算对应的光刻机曝光参数。通过本发明的技术方案,可以根据用户对于各类复杂光刻版(或名掩膜版)的实际光刻需求,推算对于光刻机的曝光参数设置,从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式,简化了曝光参数的计算过程。

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