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一种磁电存储器存储单元结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201720957842.5
  • IPC分类号:H01L43/08
  • 申请日期:
    2017-08-02
  • 申请人:
    江西科技学院
著录项信息
专利名称一种磁电存储器存储单元结构
申请号CN201720957842.5申请日期2017-08-02
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L43/08IPC分类号H;0;1;L;4;3;/;0;8查看分类表>
申请人江西科技学院申请人地址
江西省南昌市高新区瑶湖区高校园区江西科技学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江西科技学院当前权利人江西科技学院
发明人薛飞
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司代理人吴称生
摘要
本实用新型涉及一种磁电存储器存储单元结构,包括磁电材料层、上电极层、端电极层、衬底层;所述磁电材料层包括铁电‑反铁磁材料层、设置于铁电‑反铁磁材料层下面的铁磁材料层、所述铁磁材料层中间设置有绝缘层、所述铁磁材料层下端与衬底层相连;所述上电极层设置于铁电‑反铁磁材料层上端;所述端电极层设置于铁磁材料层两端。本实用新型通过铁磁材料层和反铁磁材料界面的偏置效应调控铁磁材料层的磁化取向,并制成多铁隧道结(MTJ),把电极化和磁性的变化转变为高、低电阻的变化,其开关电阻比(RON/OFF)可达300,这种方法获得的存储器存储信号具有很强辨识度,而且功耗很小。

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