基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910375830.5
IPC分类号：G01N23/20058
申请日期：
2019-05-07
申请人：
宜特（上海）检测技术有限公司

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著录项信息

专利名称	基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法
申请号	CN201910375830.5	申请日期	2019-05-07
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-03	公开/公告号	CN110196258A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N23/20058 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N23/14 （转入G01N 23/083-G01N 23/087， G01N 23/12） G01N23/20 利用材料辐射的衍射，例如，用于测试晶体结构；利用材料辐射的散射，例如测试非晶材料；利用材料辐射的反射〔1，2006.01，2018.01〕 G01N23/20058 通过测量电子衍射，如低能电子衍射〔LEED〕法或反射高能电子衍射〔RHEED〕法〔2018.01〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;3;/;2;0;0;5;8查看分类表>
申请人	宜特（上海）检测技术有限公司	申请人地址	上海市闵行区宜山路1618号8幢C101室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏试宜特（上海）检测技术股份有限公司	当前权利人	苏试宜特（上海）检测技术股份有限公司
发明人	蔡齐航;谢亚珍;康冀恺;刘怡良;余维松;许雅雯
代理机构	上海唯源专利代理有限公司	代理人	曾耀先

摘要

本发明公开了一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法包括以下步骤步骤1在TEM衍射条件下，倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心，偏离因子s等于0，此时TEM影像图中样品的缺陷模糊；步骤2继续倾转试片，使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向移动，使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离，偏离因子s大于0，此时TEM影像图中样品的缺陷清晰；步骤3在步骤2的衍射条件下，找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。本发明利用偏离因子s稍大于零的条件下明场像具有最大影像强度的原理，对光电材料平面结构进行缺陷分析，可在TEM中直观且清晰的看到缺陷的详细形貌。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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