一种聚偏氟乙烯基3D打印具有多孔结构压电制件的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110860003.2
IPC分类号：B29C64/10;B29B7/18;B29C48/00;B33Y80/00;C08L27/16;C08K5/50;B33Y70/10
申请日期：
2021-07-28
申请人：
四川大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种聚偏氟乙烯基3D打印具有多孔结构压电制件的制备方法
申请号	CN202110860003.2	申请日期	2021-07-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-08	公开/公告号	CN113478810A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B29C64/10 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B29 塑料的加工；一般处于塑性状态物质的加工 B29C 塑料的成型或连接；塑性状态材料的成型，不包含在其他类目中的；已成型产品的后处理，例如修整（制作预型件入B29B 11/00；通过将原本不相连接的层结合成为各层连在一起的产品来制造层状产品入B32B 7/00至B32B 41/00）〔4〕 B29C64/00 增材加工，即，三维（3D）物体通过增材沉积，聚结或层压，例如通过3D打印，通过光固化或选择性激光烧结〔2017.01〕 B29C64/10 增材加工的工艺〔2017.01〕	IPC分类号	B;2;9;C;6;4;/;1;0;;;B;2;9;B;7;/;1;8;;;B;2;9;C;4;8;/;0;0;;;B;3;3;Y;8;0;/;0;0;;;C;0;8;L;2;7;/;1;6;;;C;0;8;K;5;/;5;0;;;B;3;3;Y;7;0;/;1;0查看分类表>
申请人	四川大学	申请人地址	四川省成都市武侯区一环路南一段24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学	当前权利人	四川大学
发明人	陈英红;裴浩然;熊雨;吕秦牛;陈宁
代理机构	成都华复知识产权代理有限公司	代理人	麦迈

摘要

本发明提供一种聚偏氟乙烯基3D打印具有多孔结构压电制件的制备方法，该方法是以离子盐四苯基氯化磷作为改性剂与PVDF类聚合物基料密炼熔融共混，将所得PVDF基复合材料采用熔融沉积成型3D打印技术制备具有多孔结构压电制件。本发明基于实验证据确定了对熔融沉积成型3D打印时内部填充率的设置、喷嘴直径的规定及打印参数的限定，从而使得制备所得压电制件具有三维多孔结构特征，并且其中的孔洞尺寸、相邻孔洞间距及孔洞排布方式通过上述限定条件进行了标准量化，从而获得了综合性能或压电性能显著优于现有技术的具有多孔结构压电制件。

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