BNT-BST-KNN反铁电储能陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610821418.8
IPC分类号：H01L41/187;C04B35/475
申请日期：
2016-09-13
申请人：
西安航空学院

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著录项信息

专利名称	BNT-BST-KNN反铁电储能陶瓷及其制备方法
申请号	CN201610821418.8	申请日期	2016-09-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-01	公开/公告号	CN106467395A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/187 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/083 和H01L 41/087优先于H01L 41/09至H01L 41/113各组。〔6〕 H01L41/16 材料的选择〔2〕 H01L41/18 用于压电器件或电致伸缩器件的〔2〕 H01L41/187 陶瓷合成物〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;1;8;7;;;C;0;4;B;3;5;/;4;7;5查看分类表>
申请人	西安航空学院	申请人地址	陕西省西安市莲湖区西二环259号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安航空学院	当前权利人	西安航空学院
发明人	曹静;王永锋;李兆;蔡向朝
代理机构	西安知诚思迈知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	麦春明

摘要

本发明公开了一种BNT‑BST‑KNN反铁电储能陶瓷及其制备方法，属于功能陶瓷技术领域，分子式为：(1‑x)Bi1/2Na1/2TiO3‑xBa1/2Sr1/2TiO3‑0.05KNaNbO3，其中x＝0.01、0.03、0.05或0.07。本发明解决了现有技术中La3+掺杂电陶瓷减小电场回滞的同时增大了材料的相变电场，B位掺杂Zr2+元素的电陶瓷的反铁电相不稳定的问题，加入Sr元素有助于扩大四方反铁电相的稳定区域，通过掺杂BaSrTiO3、KNaNbO3来改变本发明BNT‑BST‑KNN反铁电储能陶瓷的电学性能。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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