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具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410008434.6
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335;H01L21/28
  • 申请日期:
    2014-01-09
  • 申请人:
    苏州能屋电子科技有限公司
著录项信息
专利名称具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法
申请号CN201410008434.6申请日期2014-01-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-04-16公开/公告号CN103730492A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人苏州能屋电子科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州能屋电子科技有限公司当前权利人苏州能屋电子科技有限公司
发明人董志华;蔡勇;于国浩;张宝顺
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人王锋
摘要
本发明公开了一种具有背面场板结构的MIS?HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成,其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极,该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接,且源、漏极与异质结构形成欧姆接触,该异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层设置于源、漏极之间,且第一半导体层表面还设有栅极,该栅极与第一半导体层之间还设有第一绝缘介质层以形成MIS结构,背场板电极设置于第二半导体层的远离第一半导体层的一侧表面。本发明能有效提高器件的击穿电压,并最大程度地抑制“电流崩塌”效应。

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