MOS晶体管的结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110207726.9
IPC分类号：H01L21/265;H01L21/336;H01L29/36;H01L29/78
申请日期：
2011-07-22
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	MOS晶体管的结构及其形成方法
申请号	CN201110207726.9	申请日期	2011-07-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-23	公开/公告号	CN102891076A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/265 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/26 用波或粒子辐射轰击的〔2〕 H01L21/263 带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕 H01L21/265 产生离子注入的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	赵猛
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

本发明的实施例提供了一种MOS晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层表面的栅电极层；位于所述栅绝缘层和栅电极层两侧、且位于所述半导体衬底表面的侧墙；及位于所述栅绝缘层和栅电极层两侧、且位于所述半导体衬底内的源/漏极；位于所述栅绝缘层底部的半导体衬底内的掺杂层。相应的，本发明的实施例还提供了上述MOS晶体管的形成方法，本发明实施例的MOS晶体管载流子的迁移率高，栅极稳定性好。

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