一种MPCVD金刚石石膜基片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022340359.7
IPC分类号：C23C16/458;C23C16/27;C23C16/511
申请日期：
2020-10-20
申请人：
上海征世科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MPCVD金刚石石膜基片
申请号	CN202022340359.7	申请日期	2020-10-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/458 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/458 在反应室中支承基体的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;8;;;C;2;3;C;1;6;/;2;7;;;C;2;3;C;1;6;/;5;1;1查看分类表>
申请人	上海征世科技股份有限公司	申请人地址	上海市青浦区华浦路500号2幢西侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海征世科技股份有限公司	当前权利人	上海征世科技股份有限公司
发明人	满卫东;龚闯;朱长征;吴剑波;蒋梅荣
代理机构	上海精晟知识产权代理有限公司	代理人	周琼

摘要

本实用新型提供一种MPCVD金刚石石膜基片，涉及石膜基片技术领域，包括基片体，所述基片体的外表面设置有防护结构和缓冲散热结构，所述防护结构包括第一防护盖和第二防护盖，所述第一防护盖的外表面一侧固定连接有第一连接杆，所述第二防护盖的外表面一侧固定连接有第二连接杆，所述基片体的外表面开设有固定孔，所述缓冲散热结构包括第一缓冲海绵和第二缓冲海绵，所述第一缓冲海绵的外表面贯穿设置有第一散热孔，所述第二缓冲海绵的外表面贯穿设置有第二散热孔。本实用新型，整个装置通过第一防护盖、第二防护盖、固定孔、第一连接杆和第二连接杆的相互作用，避免基片体因磕碰造成磨损，提高了装置的实用性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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