一种光热电分离的倒装LED芯片及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610770822.7
IPC分类号：H01L33/32;H01L33/12;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/00
申请日期：
2016-08-30
申请人：
厦门乾照光电股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种光热电分离的倒装LED芯片及其制作方法
申请号	CN201610770822.7	申请日期	2016-08-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106449924A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/26 发光区的材料〔2010.01〕 H01L33/30 只包括周期体系中的III族和V族的元素〔2010.01〕 H01L33/32 含氮〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	厦门乾照光电股份有限公司	申请人地址	福建省厦门市火炬（翔安）产业区翔天路259-269号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门乾照光电股份有限公司	当前权利人	厦门乾照光电股份有限公司
发明人	陈亮;李俊贤;吕奇孟;吴奇隆;陈凯轩;张永
代理机构	厦门市新华专利商标代理有限公司	代理人	廖吉保

摘要

本发明公开一种光热电分离的倒装LED芯片，在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成N‑GaN，在N‑GaN上形成有源层，在有源层上形成P‑GaN，依次部分蚀刻P‑GaN和有源层直至裸露部分N‑GaN；在P‑GaN上形成金属反射层，在裸露部分N‑GaN形成欧姆接触层，在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层，导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极，P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接，N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开一种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离，出光面无电极挡光，取光效率高，热量由导热金属层导出，增加芯片可靠性。

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