加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810029725.1
  • IPC分类号:H01L23/544;G03F9/00
  • 申请日期:
    2018-01-12
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其形成方法
申请号CN201810029725.1申请日期2018-01-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-07-19公开/公告号CN110034097A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/544IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;G;0;3;F;9;/;0;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人舒强
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
一种半导体结构及其形成方法,方法包括在器件区形成第一器件结构和第二器件结构,并在所述标记区形成标记结构,所述标记结构具有第一旋转中心,所述标记结构包括多个标记部,所述标记部包括第一支部和第二支部,所述第一支部用于标记第一器件,结构所述第二支部用于标记第二器件结构;在所述器件区上形成图形化的第一图形层,并在所述标记区形成测试标记。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供