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一种高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910672902.2
  • IPC分类号:C04B35/56;C04B35/626
  • 申请日期:
    2019-07-24
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称一种高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体及其制备方法
申请号CN201910672902.2申请日期2019-07-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-10-15公开/公告号CN110330341A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/56IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;6查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人陈磊;苏文韬;王玉金;张文;徐晨光;周玉
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人岳泉清
摘要
一种高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体的制备方法,本发明属于超硬陶瓷材料技术领域,具体涉及一种高熵陶瓷粉体制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的多组元碳化物高熵陶瓷材料存在氧含量和残余碳含量高,纯度低,粒度大和球形度差的问题。高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体的化学式为(Hfx1Nbx3Tax4Tix2Mx5)C。方法:一、称料;二、混合;三、煅烧。本发明制备的高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体具有颗粒度小,含氧量低和自由碳含量低的优点。本发明可获得一种高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体。

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