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一种氮化锌薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210545142.7
  • IPC分类号:C23C16/34
  • 申请日期:
    2012-12-14
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种氮化锌薄膜的制备方法
申请号CN201210545142.7申请日期2012-12-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103866263A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/34IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人解婧;李超波;夏洋
代理机构北京华沛德权律师事务所代理人刘丽君
摘要
本发明公开了一种氮化锌薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;(2)向原子层沉积设备反应腔中通入含锌前驱体源,含锌前驱体源中的锌原子吸附于衬底表面;(3)向原子层沉积设备反应腔中通入含氮前驱体源,然后通过等离子体将含氮前驱体源电离,或将经过等离子体电离的含氮前驱体源通入原子层沉积设备反应腔中,电离后含氮前驱体源中的氮原子部分沉积,与衬底表面的锌原子形成氮锌共价键;(4)重复所述步骤(2)和步骤(3)即可逐层生长氮化锌薄膜。本发明通过等离子体将氮源引入原子层沉积系统,再通过调控腔室温度、真空度、循环周期、等离子体条件等条件,获得带隙可调控的各种优质氮化锌薄膜。

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