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一种基于半导体加热与制冷技术的全二维气相色谱调制器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710265660.6
  • IPC分类号:G01N30/30;G01N30/68
  • 申请日期:
    2017-04-21
  • 申请人:
    中国地质大学(武汉)
著录项信息
专利名称一种基于半导体加热与制冷技术的全二维气相色谱调制器
申请号CN201710265660.6申请日期2017-04-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2017-07-11公开/公告号CN106940352A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N30/30IPC分类号G;0;1;N;3;0;/;3;0;;;G;0;1;N;3;0;/;6;8查看分类表>
申请人中国地质大学(武汉)申请人地址
湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国地质大学(武汉)当前权利人中国地质大学(武汉)
发明人朱书奎;饶建华;江祥涛;余静;陈品
代理机构武汉知产时代知识产权代理有限公司代理人曹雄
摘要
本发明提供一种基于半导体加热与制冷技术的全二维气相色谱调制器,该调制器包括制冷系统、加热系统和控制系统,所述制冷系统和加热系统分别与控制系统连接,所述制冷系统包括散热装置、制冷片、第一隔热垫和导冷块,所述散热装置、第一隔热垫和导冷块依次紧密贴合,将所述制冷片安装在第一隔热垫内,所述加热系统包括加热器、第二隔热垫和导热块,所述第二隔热垫和导热块紧密贴合,将所述加热器安装在第二隔热垫内。本发明提供的调制器结构简单、便于控制、安装方便,能够有效节约实验成本和实验室空间。

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