发光二极管外延片的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110324236.0
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
申请日期：
2021-03-26
申请人：
华灿光电（苏州）有限公司

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著录项信息

专利名称	发光二极管外延片的制备方法
申请号	CN202110324236.0	申请日期	2021-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-20	公开/公告号	CN113284992A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华灿光电（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华灿光电（苏州）有限公司	当前权利人	华灿光电（苏州）有限公司
发明人	王群;郭志琰
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在生长p型GaN层时，可以先在多量子阱层上生长第一p型GaN子层，并在生长完第一p型GaN子层之后，使用离子束均匀地轰击第一p型GaN子层的表面一定时长。离子束会在第一p型GaN子层的表面均匀地制造出较多原子级缺陷。继续在第一p型GaN子层上生长第二p型GaN子层时，第二p型GaN子层与第一p型GaN子层的界面处会出现大量应力及缺陷交错湮灭的情况，第二p型GaN子层的远离衬底的一面原子级缺陷较少，第二p型GaN子层的远离衬底的一面也会较为平整，光线受不同缺陷影响而具有不同出光角度的情况较少，有利于提高发光二极管的出光一致性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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