反应器制造芯片的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610009287.X
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/31;H01L21/205;H01L21/3205;C23C16/00;B08B5/00
申请日期：
2006-02-21
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	反应器制造芯片的方法
申请号	CN200610009287.X	申请日期	2006-02-21
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2007-08-29	公开/公告号	CN101026083
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;C;2;3;C;1;6;/;0;0;;;B;0;8;B;5;/;0;0查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	周志能;郝鸿虎;曾国邦
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	任永武

摘要

一种反应器制造芯片的方法，首先，提供一反应器，反应器至少包括一反应室以及一内管。内管置放于反应室内，且内管具有一晶舟进出开口，而内管的管壁上具有一异物。然后，以一晶舟承载座封闭晶舟进出开口。接着，导引一连续流体进出反应室。然后，调整连续流体的压力为100托耳(torr)至300托耳(torr)，以清除异物且带走异物于反应室外。接着，于一清洗时间后停止导引连续流体进出反应室。然后，移除晶舟承载座。接着，置放一晶片于一晶舟上。然后，将晶舟置于晶舟承载座。接着，以晶舟承载座封闭晶舟进出开口，而置入晶舟于反应室内。然后，通入一反应源气体于反应室，以进行晶片的半导体制作工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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