一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010108592.4
IPC分类号：H01L43/10;H01L43/02;H01L43/08
申请日期：
2020-02-21
申请人：
山西师范大学

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专利名称	一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法
申请号	CN202010108592.4	申请日期	2020-02-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-30	公开/公告号	CN111354851A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/10 材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;H;0;1;L;4;3;/;0;2;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8查看分类表>
申请人	山西师范大学	申请人地址	山西省临汾市贡院街1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山西师范大学	当前权利人	山西师范大学
发明人	全志勇;王美美;张笑;肖政昱;吕宝华;张军;许小红
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	李静

摘要

本发明属于磁电耦合材料制备技术领域，具体涉及一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法。该异质结构包括依次层叠设置的衬底、氧化铪层、铁磁层和铂电极；氧化铪层为具有铁电性的掺杂氧化铪；铁磁层为CoFe2O4层、Fe3O4层、Co层、NiFe合金层或CoFe合金层。该电场调控磁性异质结构中掺杂氧化铪为正交相结构，与硅基半导体工艺的兼容性良好，且掺杂氧化铪中不含有毒重金属铅，同时掺杂氧化铪可以和CoFe2O4、Fe3O4、Co、NiFe合金或CoFe合金的铁磁层间传递应力、实现电荷积累，从而产生磁电耦合，实现室温电场调控磁性，有效克服了传统铁电材料对硅基工艺的不兼容性以及磁矩调控幅度小的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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