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背照式CMOS图像传感器及其形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810897291.7
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2018-08-08
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称背照式CMOS图像传感器及其形成方法
申请号CN201810897291.7申请日期2018-08-08
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-12-21公开/公告号CN109065557A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人庞浩;秋沉沉
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云
摘要
本发明提供一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法,该背照式CIS的形成方法包括:在半导体衬底上生长有P型外延层,在P型外延层中形成有用于定义像素单元有源区的隔离沟槽;在像素有源区的选定区域上形成有光电二极管的第一N型掺杂区;以图形化的掩模层为掩模,对P型外延层进行第一次P型离子注入工艺,以形成光电二极管的P型插入掺杂区的第一部分,P型插入掺杂区的第一部分位于第一N型掺杂区内;对P型外延层进行第二次P型离子注入工艺,以形成光电二极管的P型插入掺杂区的第二部分,P型插入掺杂区的第二部位于所述第一N型掺杂区内,以加深光电二极管的PN结的结深,有利于第一N型掺杂区的电荷的耗尽,从而提高了背照式CMOS图像传感器的满阱容量。

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