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无泄漏低损磁光薄膜磁表面快模可控单向任意拐弯波导

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610796438.4
  • IPC分类号:G02B6/125
  • 申请日期:
    2016-08-31
  • 申请人:
    欧阳征标
著录项信息
专利名称无泄漏低损磁光薄膜磁表面快模可控单向任意拐弯波导
申请号CN201610796438.4申请日期2016-08-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-11-23公开/公告号CN106154416A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/125IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2;5查看分类表>
申请人欧阳征标申请人地址
广东省深圳市南山区南海大道3688号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳大学当前权利人深圳大学
发明人欧阳征标;郑耀贤
代理机构深圳力拓知识产权代理有限公司代理人龚健
摘要
本发明公开了一种无泄漏低损磁光薄膜磁表面快模任意方向可控单向拐弯波导,其包括一个光输入端(1)、一个光输出端(2)、一个磁光薄膜(3)、背景介质(4)、两个吸波层(5、6)和一个偏置磁场;所述单向拐弯波导的端口(1)为光输入端、其端口(2)为光输出端;磁光薄膜(3)设置于背景介质中,磁光薄膜(3)采用磁光材料;磁光薄膜(3)和背景介质(4)为任意角度弯曲形;所述磁光薄膜(3)处设置有偏置磁场,且方向可控;磁光薄膜(3)弯曲部分为圆环形状;磁光材料与所述背景介质(4)的表面处为磁表面快波。本发明具有结构简单、体积小、便于集成、低损耗、传输效率高,适合于大规模光路集成,被广泛应用到各种光波导的设计中。

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