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一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310264149.6
  • IPC分类号:C23F17/00;C25F3/04;C23C14/35
  • 申请日期:
    2013-06-27
  • 申请人:
    西安空间无线电技术研究所
著录项信息
专利名称一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法
申请号CN201310264149.6申请日期2013-06-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-09-25公开/公告号CN103320799A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23F17/00IPC分类号C;2;3;F;1;7;/;0;0;;;C;2;5;F;3;/;0;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人西安空间无线电技术研究所申请人地址
陕西省西安市长安区西街150号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安空间无线电技术研究所当前权利人西安空间无线电技术研究所
发明人胡天存;崔万照;张洪太;贺永宁
代理机构中国航天科技专利中心代理人安丽
摘要
本发明涉及一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法,特别涉及一种通过电化学腐蚀方法来抑制铝合金镀银表面的二次电子发射系数的方法,属于微放电技术领域。将微波部件内表面先用酸溶液进行阳极氧化处理,在微波部件内表面形成多孔结构,然后利用化学溶液腐蚀的方法增大孔的口径,最后在微波部件内表面溅射沉积金或银等导电性好的金属,使得微波部件内表面既具有低二次电子发射系数,又具有良好的导电性能。

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