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一种二维自支持过渡金属超薄片的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210273516.4
  • IPC分类号:C23C18/31;B22F9/24
  • 申请日期:
    2012-08-02
  • 申请人:
    黑龙江大学
著录项信息
专利名称一种二维自支持过渡金属超薄片的制备方法
申请号CN201210273516.4申请日期2012-08-02
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-11-28公开/公告号CN102796999A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C18/31IPC分类号C;2;3;C;1;8;/;3;1;;;B;2;2;F;9;/;2;4查看分类表>
申请人黑龙江大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人黑龙江大学当前权利人黑龙江大学
发明人付宏刚;杜世超;任志宇;孔令俊
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人王艳萍
摘要
一种二维自支持过渡金属超薄片的制备方法,它涉及过渡金属超薄片的制备方法,本发明的目的是为了解决现有二维自支持过渡金属超薄片制备方法中存在工艺繁琐的问题。方法:一、含有金属离子的有机胺配合物非极性有机溶液的制备;二、含有金属离子的有机胺配合物中金属离子的还原得到黑色粉末;三、将步骤二得到的黑色粉末高温焙烧即得热处理后的二维自支持超薄片。本发明所制备的二维自支持过渡金属超薄片,不需要使用硬模板,因此后续处理无需去模板,工艺相对简单,成本低,制备的二维自支持过渡金属超薄片有良好的磁学性能。本发明应用于过渡金属超薄片的制备领域。

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