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半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201110031550.6
IPC分类号：H01L23/525
申请日期：
2011-01-29
申请人：
中国科学院微电子研究所

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN201110031550.6	申请日期	2011-01-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-01	公开/公告号	CN102623431A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/525 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/525 具有可适用互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;5查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3# 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	闫江
代理机构	北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈红

摘要

一种半导体器件，电可编程熔丝的阳极接触位于绝缘层正上方，阴极接触并不位于绝缘层正上方，因此熔丝线路与硅衬底之间并无绝缘层的阻挡，熔丝线路更容易产生电迁移，这使电可编程熔丝具有更好的可编程能力，同时，绝缘层可以阻挡扩散至硅衬底的热量；另外，仅通过调整电可编程熔丝在版图中位置，即可获得本发明的结构，并未增加工艺步骤和掩模板数目，节省了生产成本。

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